Транзистор DXG75N65HSE. Новий. Оригінал.
165 ₴
- Готово до відправки
- Код: DXG75N65HSE
Новий, оригінальний IGBT транзистор DXG75N65HSE
Використовується в інверторах, ДБЖ і т.д.
Найменування: DXG75N65HSE
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип керуючого каналу: N
Pc - Максимальна потужність, що розсіюється: 484 W
|Vce| - гранично-допустима напруга колектор-емітер: 650 V
|Vge| - Максимально допустима напруга емітер-затвор: 20 V
|Ic| - Максимальний постійний струм колектора: 75/150 A @25/100℃
|VCEsat| - Напруга насичення колектор-емітер типова: 1.9 V @25℃
|VGEth| - Максимальна гранична напруга затвор-емітер: 4.9 V
Tj - максимальна температура переходу: 175 ℃
tr - Час наростання типовий: nS
Coes - Вихідна ємність, типова: 3555 pF
Qg - загальний заряд затвора, typ: nc
Тип корпусу: TO-247
datasheet: https://dianyuan-public.oss-cn-shenzhen.aliyuncs.com/community/2020/06/07/1591534776-59287.pdf
| Основні | |
|---|---|
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 120 А |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Виробник | |
| Виробник | Daxin Semiconductor Co., Ltd. |
- Ціна: 165 ₴
