Транзистор HY3208P. Новий. Оригінал.

Новий, оригінальний транзистор HY3208P.
Виробник - Huayi Microelectronics
Найменування приладу: HY3208P
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Pd - Максимальна потужність, що розсіюється: 226 W
|Vds| - гранично допустима напруга сток-витік: 80 V
|Vgs| - гранично допустима напруга затвор-витік: 25 V
|Vgs(th)| - Порогова напруга включення: 4 V
|Id| - Максимально допустимий постійний струм стоку: 120 A
Tj - максимальна температура каналу: 175 °C
Qg - Загальний заряд затвора: 70 nC
tr - Час зростання: 35 ns
Coss - Вихідна ємність: 443 pf
Rds - Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпусу: TO220FB
Datasheet: http://en.hymexa.com/uploadfile/202101/72c30fb5631be1f.pdf
| Основні | |
|---|---|
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 120 А |
| Виробник | |
| Виробник | Huayi Microelectronics |
- Ціна: 42 ₴