Новий, оригінальний транзистор HYG025N06.
Виробник - Huayi Microelectronics
Найменування приладу: HYG025N06
Маркування: G025N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Pd - Максимальна потужність, що розсіюється: 125 W
|Vds| - гранично допустима напруга сток-витік: 60 V
|Vgs| - гранично допустима напруга затвор-витік: 20 V
|Vgs(th)| - Порогова напруга включення: 3 V
|Id| - Максимально допустимий постійний струм стоку: 160 A
Tj - максимальна температура каналу: 175 °C
Qg - загальний заряд затвора: 58.3 nC
tr - Час зростання: 34 ns
Coss - Вихідна ємність: 1310 pf
Rds - Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.0032 Ohm
Тип корпусу: TO220
Datasheet:
Основні | |
---|---|
Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
Максимально допустимий струм стоку | 160 А |
Виробник | |
Виробник | Huayi Microelectronics |
- Ціна: 55 ₴