Транзистор HYG042N10NS1P. Новий. Оригінал.
80 ₴
- Готово до відправки
- Код: HYG042N10
+380 (98) 191-91-91
Транзистор HYG042N10NS1P. Новий. Оригінал.
80 ₴
Готово до відправкиУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
Новий, оригінальний транзистор HYG042N10NS1P.
Виробник - Huayi Microelectronics
Найменування приладу: HYG042N10NS1P
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Pd - Максимальна потужність, що розсіюється: 200 W
|Vds| - гранично допустима напруга сток-витік: 100 V
|Vgs| - гранично допустима напруга затвор-витік: 20 V
|Vgs(th)| - Порогова напруга включення: 4 V
|Id| - Максимально допустимий постійний струм стоку: 160 A
Tj - максимальна температура каналу: 175 °C
Qg - загальний заряд затвора: 119 nC
tr - Час зростання: 97 ns
Coss - Вихідна ємність: 2506 pf
Rds - Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпусу: TO220
Datasheet: http://en.hymexa.com/uploadfile/202101/97249a3ad5f673d.pdf
| Основні | |
|---|---|
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 160 А |
| Виробник | |
| Виробник | Huayi Microelectronics |
- Ціна: 80 ₴
