Новий, оригінальний транзистор HY3810P.
Виробник - Huayi Microelectronics
Найменування приладу: HY3810P
Тип транзистора: MOSFET
Полярність: N
Pd - Максимальна потужність, що розсіюється: 348 W
Vds - гранично допустима напруга сток-витік: 100 V
Vgs - гранично допустима напруга затвор-витік: 25 V
Vgs(th) - Порогова напруга включення: 4 V
Id - Максимально допустимий постійний струм стоку: 180 A
Tj - максимальна температура каналу: 175 °C
Qg - загальний заряд затвора: 174 nC
tr - Час зростання: 48 ns
Coss - Вихідна ємність: 615 pf
Rds - Опір сток-витік відкритого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпусу: TO-220
Datasheet: http://en.hymexa.com/uploadfile/202101/9575cfcf98bc86d.pdf
Виробник | |
---|---|
Виробник | Huayi Microelectronics |
- Ціна: 70 ₴