Транзистор GT50JR22. Новий. Оригінал.

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за домовленістю
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
Новий, оригінальний транзистор GT50JR22.
Виробництво - Toshiba.
Найменування: GT50JR22
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркування: 50JR22
Тип керуючого каналу: N
Максимальна потужність, що розсіюється (Pc), W: 230
Гранично-допустима напруга колектор-емітер | Vce |, V: 600
Максимально допустима напруга емітер-затвор | Vge |, V: 25
Максимальний постійний струм колектора | Ic | @25℃, A: 50
Напруга насичення колектор-емітер типова | VCE (sat) |, V: 1.55
Максимальна гранична напруга затвор-емітер | VGE (th) |, V: 7.5
Максимальна температура переходу (Tj), ℃: 175
Час наростання типовий (tr), nS: 180
Тип корпусу: TO-3PN
Datasheet: https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=13664&prodName=GT50JR22
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 50 А |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
- Ціна: 110 ₴
