Транзистор HYG100N20. Новый. Оригинал.

Новый, оригинальный транзистор HYG100N20.
Производитель - Huayi Microelectronics
Наименование прибора: HYG100N20NS1P
Маркировка: HYG100N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
|Vds| - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs| - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
Tj - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg - Общий заряд затвора: 64 nC
tr - Время нарастания: 73 ns
Coss - Выходная емкость: 3014 pf
Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm
Тип корпусу: TO220
Datasheet: http://en.hymexa.com/uploadfile/202305/6b0670ca83f9b0e.pdf
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 140 А |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Виробник | |
| Виробник | Huayi Microelectronics |
- Цена: 110 ₴
