Транзистор NCE40TD60BT. Новый. Оригинал.
155 ₴
- Готово к отправке
- Код: NCE40TD60BT
Новый, оригинальный транзистор NCE40TD60BT.
Производство - NCEpower.
Наименование: NCE40TD60BT
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc - Максимальная рассеиваемая мощность: 286 W
|Vce| - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge| - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat| - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth| - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tj - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr - Время нарастания типовое: 17 nS
Coes - Выходная емкость, типовая: 136 pF
Qg - Общий заряд затвора, typ: 176 nC
Тип корпуса: TO247
Datasheet: https://www.ncepower.com/upload/cn/propdf/NCE40TD60BT.pdf
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Wuxi NCE Power Semiconductor |
- Цена: 155 ₴
