Транзистор STGP19NC60KD. Новый. Оригинал.

Новый, оригинальный транзистор STGP19NC60KD.
Производство - ST.
Наименование: STGP19NC60KD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: GP19NC60KD
Тип управляющего канала: N
Pc - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vce| - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge| - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃
|VCEsat| - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth| - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr - Время нарастания типовое: 8 nS
Coes - Выходная емкость, типовая: 127 pF
Qg - Общий заряд затвора, typ: 55 nC
Тип корпуса: TO220
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
- Цена: 145 ₴
