Описание
Характеристики
Информация для заказа
Новый, оригинальный транзистор HY3208P.
Производитель - Huayi Microelectronics
Наименование прибора: HY3208P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 226 W
|Vds| - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs| - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg - Общий заряд затвора: 70 nC
tr - Время нарастания: 35 ns
Coss - Выходная емкость: 443 pf
Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO220FB
Datasheet: http://en.hymexa.com/uploadfile/202101/72c30fb5631be1f.pdf
| Основные | |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Виробник | |
| Виробник | Huayi Microelectronics |
- Цена: 52 ₴

