Транзистор NCE80TD60BT. Новый. Оригинал.
175 ₴
- Готово к отправке
- Код: NCE80TD60BT
+380 (98) 191-91-91
Транзистор NCE80TD60BT. Новый. Оригинал.
175 ₴
Готово к отправкеУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Новый, оригинальный транзистор NCE80TD60BT.
Производитель -
Наименование: NCE80TD60BT
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
|Vce| - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge| - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
|VCEsat| - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth| - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tj - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr - Время нарастания типовое: 17 nS
Coes - Выходная емкость, типовая: 258 pF
Qg - Общий заряд затвора, typ: 331 nC
Тип корпуса: TO247
Datasheet:
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 160 А |
- Цена: 175 ₴
