Транзистор JT040K065WED. Новый. Оригинал.
210 ₴
- Готово к отправке
- Код: JT040K065WED
Новий, оригінальний IGBT транзистор JT040K065WED
Використовується в інверторах, ДБЖ і т.д.
Виробник - JILIN SINO-MICROELECTRONICS
Наименование: JT040K065WED
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc - Максимальная рассеиваемая мощность: 284 W
|Vce| - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge| - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat| - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth| - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.9 V
Tj - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr - Время нарастания типовое: 65,8 nS
Coes - Выходная емкость, типовая: 193 pF
Qg - Общий заряд затвора, typ: 75.3 nC
Тип корпуса: TO-247
| Основные | |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 80 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 284 Вт |
| Виробник | |
| Виробник | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
- Цена: 210 ₴
