Транзистор JT075N065WED. Новый. Оригинал.
210 ₴
- Нет в наличии
- Код: JT075N065WED
Новые, оригинальные транзисторы.
Производитель - JILIN SINO-MICROELECTRONICS
Наименование: JT075N065WED
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc - Максимальная рассеиваемая мощность: 539 W
|Vce| - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge| - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat| - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
|VGEth| - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr - Время нарастания типовое: 40 nS
Coes - Выходная емкость, типовая: 430 pF
Qg - Общий заряд затвора, typ: 27.4 nC
Тип корпуса: TO247
| Основные | |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 150 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 539 Вт |
| Виробник | |
| Виробник | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
- Цена: 210 ₴
