Транзистор HYG042N10NS1P. Новый. Оригинал.
80 ₴
- Готово к отправке
- Код: HYG042N10
Новый, оригинальный транзистор HYG042N10NS1P.
Производитель - Huayi Microelectronics
Наименование прибора: HYG042N10NS1P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds| - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs| - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tj - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg - Общий заряд затвора: 119 nC
tr - Время нарастания: 97 ns
Coss - Выходная емкость: 2506 pf
Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO220
Datasheet: http://en.hymexa.com/uploadfile/202101/97249a3ad5f673d.pdf
| Основные | |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 160 А |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Виробник | |
| Виробник | Huayi Microelectronics |
- Цена: 80 ₴
