Транзистор NCE40TD120VTP. Новый. Оригинал.
250 ₴
- Готово к отправке
- Код: NCE40TD120VTP
Новый, оригинальный транзистор NCE40TD120VTP.
Производство - NCEpower.
Наименование: NCE40TD120VTP
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W
|Vce| - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge| - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat| - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth| - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tj - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr - Время нарастания типовое: 17 nS
Coes - Выходная емкость, типовая: 177 pF
Qg - Общий заряд затвора, typ: 298 nC
Тип корпуса: TO-247P
Datasheet: http://Datasheet: https://www.ncepower.com/upload/cn/propdf/NCE40TD120VTP.pdf
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Wuxi NCE Power Semiconductor |
- Цена: 250 ₴
