Транзистор YGW50N65F1. Новый. Оригинал.

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Новый, оригинальный IGBT транзистор YGW50N65F1
Используется в инверторах, ИБП и т.д.
Наименование: YGW50N65F1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 312
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 22
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 130
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 180
Тип корпуса: TO247
| Основные | |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Производитель | SAT |
| Виробник | Luxin |
- Цена: 135 ₴
