Транзистор GT50JR22. Новый. Оригинал.
110 ₴
- Готово к отправке
- Код: GT50JR22
Новый, оригинальный транзистор GT50JR22.
Производство - Toshiba.
Наименование: GT50JR22
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: 50JR22
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 230
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 180
Тип корпуса: TO-3PN
Datasheet: https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=13664&prodName=GT50JR22
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 50 А |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
- Цена: 110 ₴
