Транзистор FGA40N65 SMD. Новый. Оригинал.

Новый, оригинальный транзистор FGA40N65SMD.
Производство - OnSemi.
Наименование: FGA40N65SMD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 349
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 20
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 180
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 119
Тип корпуса: TO-3P(N)
Datasheet: https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/fga40n65smd-d.pdf
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 80 А |
- Цена: 175 ₴
