Транзистор IHW30N135R5. H30PR5. Новый. Оригинал.

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Новый, оригинальный IGBT транзистор IHW30N135R5.
Наименование: IHW30N135R5
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: H30PR5
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 330
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1350
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 50
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 235
Тип корпуса: TO247
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 1000 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 50 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 208 Вт |
| Производитель | SAT |
| Виробник | |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
- Цена: 225 ₴
