Транзистор BT25T120 CKR. Новый. Оригинал.

Новый, оригинальный IGBT транзистор BT25T120 CKR.
Наименование: BT25T120CKR
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 208
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.95
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 36
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 59
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 142
Тип корпуса: TO247
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 1000 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 50 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 208 Вт |
| Производитель | SAT |
| Виробник | |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
- Цена: 185 ₴
